Laser MBE

Laser MBE

Laser MBE

特点

• 模块化概念，Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块
• UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输
• 先进的工艺自动化功能，可实现超晶格生长
• 温度测量准确的耐氧衬底加热器，最高1000 ℃，也可以选配激光加热
• 靶台可以屏蔽交叉污染，传输整个carrousel而非单个靶材
• 真空腔室利于系统升级（RHEED，等离子体源，OES/FTIR等）
• SURFACE激光能量密度控制选件，结果的可重复性
• 全封闭光路，安全省事
• 整套交付，先进的在线支持

PLD/Laser MBE腔室

PLD/Laser MBE腔室

SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计，并提供高级Laser MBE需要的所有特征。

• 衬底和靶材的UHV传输
• 冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气
• 原位分析窗口和法兰口（RHEED，OES或FTIR，质谱仪）
• 沉积源和等离子体源备用法兰口
• 先进的SURFACE衬底加热器或激光加热
• 靶台最多可存贮5个1寸靶材

激光能量密度控制

激光能量密度控制

Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前，自动校准激光能量密度，脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。

Load Lock

Loadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。

激光加热器

根据实际需求选择两种不相同类型的二极管激光器（940nm)或CO₂激光器（1064nm），并且还可以作为以下多种应用：薄膜沉积工艺、表面科学分析中的原位加热、材料测试、SEM 和 TEM 显微镜中的原位加热等。

 
激光加热器

• 结构紧凑、高度灵活 
• 高温不受工艺气氛限制
• 快速的变温速率（仅受基材和薄膜限制）
• 高温可达1175，（10e-8mbar 时1200℃）
• 高精度±0.1℃
• 功率范围：100W~350W

大面积PLD

根据用户需求灵活设计，升级为大面PLD系统。

• 可提供4“、6”、8“大尺寸晶圆
• 采用125 Hz工业 LEAPlaser 激光束
• 基板和激光两种扫描方式
• 标准基板最高 800°C（可选 1000°C）

控制软件

控制软件

SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的，可以自动控制整个沉积过程，从而确保设备易于操作。

多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中，直观的工艺过程可视化操作，高度灵活的数据记录和导出，优异的自我测试能力。

升级到Cluster系统

Cluster系统

Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程，可根据需要和预算来升级系统。