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微波等离子清洗机

概述:等离子清洗是半导体后道工艺中常见的设备之一。微波等离子清洗机在微波源的激发下产生氧等离子体,这种激发的氧等离子可以有效的去除半导体芯片在加工过程中在芯片表面残留的有机污染物,这种有机污染物会严重影响器件在键合封装中的良率。
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  • 等离子清洗是半导体后道工艺中常见的设备之一。微波等离子清洗机在微波源的激发下产生氧等离子体,这种激发的氧等离子可以有效的去除半导体芯片在加工过程中在芯片表面残留的有机污染物,这种有机污染物会严重影响器件在键合封装中的良率。德国ALPHA PLAMSA拥有多年的微波等离子清洗机设计制造历史以及丰富去胶经验,致力于为您提供专业的微波等离子清洗机系统,并提供专业的技术支持服务。


    产品特点:


    • 无残留成分
    • 清洗干净
    • 无需干燥处理
    • 全自动运行
    • 对样品无损伤
    • 低温操作

    应用领域:


    • 材料表面活化剂改性
    • 封装键合前清洗
    • SU-8、PI光刻胶去除

    台式去胶机


  • 产品列表


    微波等离子清洗机 AL 18
    微波等离子清洗机 AL 18
    工艺腔室:铝
    腔室容量:18升
    腔室尺寸:250(W)× 290(D)× 250(H)mm
    样品尺寸:最大8寸,向下兼容
    腔门:铰链门,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,50-600W可调
    气 路:标配两路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规::pirani,1-1×103Pa
    真 空 泵:干泵, XDS35i BOC Edwards
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:7寸触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配余辉架、旋转台
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:530(W)× 600(D)× 550(H)mm


    微波等离子清洗机 AL 76 table top
    工艺腔室:铝
    腔室容量:78升
    腔室尺寸:400(W)× 490(D)× 400(H)mm
    样品尺寸:8寸,向下兼容
    腔门:铰链门,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配三路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Baratron,1-1×103Pa
    真 空 泵:干泵, XDS35i BOC Edwards或更大抽速干泵
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:10.4寸触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配高温、温控盘、旋转台或ECR等
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:770(W)× 800(D)× 775(H)mm
    微波等离子清洗机 AL 76 table top


    微波等离子清洗机 AL 76 Compact
    微波等离子清洗机 AL 76 Compact
    工艺腔室:铝
    腔室容量:78升
    腔室尺寸:400(W)× 490(D)× 400(H)mm
    样品尺寸:8寸,向下兼容
    腔门:铰链门,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配三路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Baratron,1-1×103Pa
    真 空 泵:干泵, XDS35i BOC Edwards或更大抽速干泵
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:10.4寸触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配高温、温控盘、旋转台或ECR等
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:770(W)× 800(D)× 2020(H)mm


    微波等离子清洗机 AL 140/160/300
    工艺腔室:铝
    腔室容量:定制容量,140-300升
    腔室尺寸:视容量定制
    样品尺寸:大尺寸样品,向下兼容
    腔门:可选带观察窗的铰链门或者通用抽屉式腔门
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配1路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Baratron,1-1×103Pa
    真 空 泵:干泵, 抽速高达250m3/h
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至3路),选配高温、温控盘、旋转台或ECR等
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:1200(W)× 900(D)× 1800(H)mm
    微波等离子清洗机 AL 140/160/300


    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-10H
    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-10H
    工艺腔室:铝
    腔室容量:10升
    腔室尺寸:250(W)× 250(D)× 170(H)mm
    样品尺寸:6寸,向下兼容,最大可处理8寸样品
    腔门:抽屉式带加热台盘60-200℃,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配两路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Pirani
    真 空 泵:干泵或者油泵可选
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:10.4寸触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配250℃加热台盘
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:450(W)× 640(D)× 725(H)mm


    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-20H
    工艺腔室:铝
    腔室容量:20升
    腔室尺寸:350(W)× 350(D)× 170(H)mm
    样品尺寸:12寸,向下兼容
    腔门:抽屉式带加热台盘60-200℃,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配两路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Pirani, PCR280 Standard
    真 空 泵:干泵或者油泵可选
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:10.4寸触摸屏,Windows系统,图形化操作界面
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配250℃加热台盘
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:560(W)× 770(D)× 770(H)mm
    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-20H


    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-W
    微波等离子清洗机 ASTRO PACT-W
    工艺腔室:铝
    腔室容量:10升
    腔室尺寸:250(W)× 250(D)× 170(H)mm
    样品尺寸:6寸,向下兼容
    腔门:抽屉式带加热台盘60-200℃,带观察窗
    微 波 源:2.45GHz,最大1200W
    气 路:标配三路工艺气体,带质量流量计
    真 空 规:Pirani
    真 空 泵:抽速60m3/h,干泵或者油泵可选
    真 空 阀:电子气动阀
    控制系统:10.4寸触摸屏,带机械手臂、中心校准、进出料盒平台
    选 配 件:气路(可升级至4路),选配250℃加热台盘
    电力需求:3/N/PE AC 50Hz 400/240V 16A
    整机尺寸:920(W)× 1200(D)× 1200(H)mm


    2寸样品托盘 
    2寸样品托盘
    8寸样品托盘 
    8寸样品托盘
    石英样品托盘 
    石英样品托盘
    石英舟批量处理 
    石英舟批量处理


    更多应用及配置选择方案,欢迎您联系我们,我们将给您一个专业的配置方案!


  • 等离子清洗是半导体后道工艺中最常见的设备之一。微波等离子清洗机在微波源的激发下产生氧等离子体,这种激发的氧等离子可以有效的去除半导体芯片在加工过程中在芯片表面残留的有机污染物,这种有机污染物会严重影响器件在键合封装中的良率。德国ALPHA PLAMSA拥有多年的微波等离子清洗机设计制造历史以及丰富去胶经验,致力于为您提供专业的微波等离子清洗机系统,并提供专业的技术支持服务。


    产品特点:


    • 无残留成分
    • 清洗干净
    • 无需干燥处理
    • 全自动运行
    • 对样品无损伤
    • 低温操作

    应用领域:


    • 材料表面活化剂改性
    • 封装键合前清洗
    • SU-8、PI光刻胶去除

    微波等离子清洗机


    清洗应用


    前面我们已经了解到了有机污染物在氧等离子体作用下会被氧化成二氧化碳、水汽等排除真空系统,从而达到清洗样品表面的目的如下图所示,我们也不难发现,等离子体源的频率与自偏压之间的关系,频率越高,自偏压越小,而由于自偏压带来的物理轰击损伤也就越小。


    清洗应用图1
    清洗应用图2


    我们知道典型的等离子系统有射频等离子系统(13.56MHz)和微波等离子系统(2.45GHz),其应用范围广泛,如等离子体刻蚀机、镀膜机、清洗机等,在芯片封装清洗工艺中由于有机污染层往往很薄,且芯片中已经形成了比较完善的器件,因此我们不希望在后续的清洗中由于物理攻击的存在导致器件性能的损坏或者由此导致的生产良率下降或者使用过程中的失效等(如下图所示),这对于规模生产非常重要。


    下面我们简要介绍一下封装键合应用中,氧等离子清洗机的应用情况。我们知道在半导体后道工艺中,芯片的焊盘和引脚组成了它与PCB板的物理支持和电气连接,这种封装组成了LeadFrame的基础构架。

    在LeadFrame工艺处理中等离子清洗机的应用主要有两方面:①芯片安后键合前环氧树脂固化去除有机污染物,提高线/球键合强度;②键合完成后,在芯片顶部或底部填充封装材料前,等离子处理有助于提高附着力或减少抽芯时间(底部填充)。

    清洗应用图3

    清洗应用图3

    键合后的芯片实物图 
    键合后的芯片实物图
    活化前的芯片实物图 
    活化前的芯片实物图
    活化后的芯片实物图 
    活化后的芯片实物图


    电子回旋共振在清洗工艺中应用


    1. 电子回旋共振(ECR)原理


    在较低的气压下,磁场中的电子便会在洛仑兹力的作用下作环绕磁力线的回旋运动。这种运动的频率由磁场强度所决定:ωe/2π=eB/2πme(电子回旋频率)。当B=0.0875T时,回旋频率为2.45 GHz。如果从外部施加同一频率的振荡电场,作回旋运动的电子会受到同相位电场的作用而被“直流式”的持续加速。因此,当电场角频率ω与电子回旋角频率ωe一致时,就会发生电子的共振加速,电子因此获得较高的动能,这种现象便被称为电子回旋共振。利用这个原理的ECR等离子体装置,由于吸收了微波能量的高速电子频繁的引起电离,即便在低气压下也可以获得高密度等离子体。


    2. ECR在微波等离子清洗机中的应用


    Alpha Plasma在微波等离子清洗方便有多种选择方案:①传统吹扫式清洗,微波源通过石英窗口耦合进入真空腔,等离子在气流的作用下吹扫过样品表面从而实现对样品表面的清洗;②带360°旋转台,以吹扫模式为基础增加旋转台的处理方式可以增加批量清洗过程的效率;③ECR增强设计可以实现在低压等离子体中产生高密度的等离子增加清洗效率,针对几乎所有的衬底类型,ECR都是我们推荐的优选方案。如下示意图中是三种不同的清洗方案。


    传统吹扫式清洗 
    传统吹扫式清洗
    旋转式清洗 
    旋转式清洗
    旋转式清洗 
    旋转式清洗
    ECR模块实物图 
    ECR模块实物图



     


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