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III-V族氮化物单晶衬底

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  • 晶体 结构 M.P.
    [°C]
    相对GaN晶格
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    生长方法&
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    Al2O3
    Sapphire

    氧化铝蓝宝石衬底

    Hexag.
    a=4.758Å
    c=12.99Å
    2030 14% at
    <0001> ori.
    CZ
    ø50mm
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    LiAlO2

    偏铝酸锂衬底

    Tetrag.
    a=5.17Å
    c=6.26Å
    1700 1.4% at
    <100> ori.
    CZ
    ø20mm

    LiGaO2

    镓酸锂衬底

    Orthor.
    a=5.406Å
    b=5.012Å
    c=6.379Å
    1600 0.2% at
    <100> ori.
    CZ
    ø30mm

    MgAl2O4

    多晶铝酸镁

    Cubic
    a=8.803Å
    2130 9% at
    <111> ori.
    CZ
    ø40mm

    MgO
    氧化镁衬底
    Cubic
    a=4.216Å
    2800 13% at
    <111> ori.
    Flux
    ø2"
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    SiC (6H)

    碳化硅衬底

    Hexag.
    a=3.080Å
    c=15.12Å
    ~2700
    subl.
    3.5% at
    <0001> ori.
    Lely
    10x10mm
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    ZnO

    氧化锌衬底

    Hexag.
    a=3.325Å
    c=5.213Å
    1975 2.2% at
    <0001> ori.
    Hydrothermal
    ø20mm
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