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碳化硅衬底

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    结构分子式:

    SiC (6H)


    形态:

    单晶


    晶体结构:

    六方晶系

    a = 3.08 Å

    c = 15.12 Å

    熔点:

    2700°C subl.



    衬底性质


    制备方法:

    Lely

    晶向:

    (0001)

    晶向精度:

    max. 30'; typ. < 20'

    标准尺寸:

    10mm x 10mm, 10mm x 5mm, thickness 0.3mm

    最大直径:

    Ø 1"

    长度误差:

    +0 / - 0.05mm

    抛光:

    单/双面外延抛光

地址:北京市昌平区霍营街道紫金新干线四区3号楼2层207室

电话:010-82867922

传真:010-82867919

邮箱:contact@germantech.com.cn

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